سامسونج
#سامسونج
#ذكاء_اصطناعي
سامسونج تطور شرائح ذاكرة HBM4E بدقة 2 نانومتر
في خطوة تهدف لتعزيز مكانتها في سوق أشباه الموصلات الذي يشهد منافسة شرسة، تسعى شركة سامسونج لاستغلال أحدث تقنيات التصنيع لديها لتطوير الجيل القادم من الذاكرة عالية النطاق (HBM)، مدفوعة بالطلب المتزايد الذي أحدثته ثورة الذكاء الاصطناعي.
قفزة نوعية نحو دقة 2 نانومتر
كشف تقرير صادر عن موقع ZDNet أن العملاق الكوري الجنوبي يخطط لتطبيق دقة تصنيع 2 نانومتر على "شريحة المنطق" (Logic Die) في وحدات الذاكرة المخصصة، وتحديداً تلك التي تستهدف معيار HBM4E.
وتلعب شريحة المنطق دوراً محورياً بوصفها "دماغ" الذاكرة؛ إذ تتولى إدارة العمليات والتحكم في تدفق البيانات. ومن شأن الانتقال إلى عقدة 2 نانومتر أن يفتح آفاقاً جديدة لتحسين الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة بشكل ملحوظ مقارنة بالأجيال السابقة.
تعزيز المنافسة مع TSMC
سبقت سامسونج منافسيها في وقت سابق عبر إدخال تقنية 4 نانومتر في شرائح المنطق لمنتجات HBM4. واليوم، تهدف الشركة لنقل هذه الأفضلية التقنية إلى مستوى أعلى من خلال تطوير شرائح منطقية لمنتجات HBM المخصصة باستخدام تقنيات تتراوح بين 4 و2 نانومتر، مما يسمح بدمج وظائف مفصلة حسب طلب العملاء.
وتأتي هذه التحركات بالتزامن مع بدء سامسونج بالفعل في إنتاج معالج Exynos 2600 بدقة 2 نانومتر، في الوقت الذي تستعد فيه شركة TSMC التايوانية لإطلاق الإنتاج الضخم باستخدام نفس العقدة التصنيعية، مما ينذر بطفرة مرتقبة في قطاع أشباه الموصلات العالمي.
التعليقات 0
سجل دخولك لإضافة تعليق
لا توجد تعليقات بعد. كن أول من يعلق!