الذكاء الاصطناعي
#إنتل
#الذكاء_الاصطناعي
إنتل تطور ذاكرة ZAM الجديدة لتعزيز الذكاء الاصطناعي (2030)
أعلنت شركة إنتل رسمياً عن تعاونها مع شركة Saimemory الناشئة (المدعومة من Softbank) لتطوير تقنية ذاكرة جديدة كلياً تُعرف باسم Z-Angle Memory أو ZAM، تهدف لإحداث ثورة في خوادم الذكاء الاصطناعي بحلول عام 2030. تأتي هذه الخطوة لتعيد العملاق الأمريكي إلى جذوره في سوق الذاكرة، ولكن بتقنيات بناء مبتكرة تواكب الطلب الهائل الحالي.
ما هي تقنية Z-Angle Memory الجديد؟
كما يوحي الاسم، ترتبط تقنية ZAM بمفهوم "الارتفاع Z" (Z height)، وهي طريقة لتكديس الذاكرة (RAM) فوق بعضها البعض عمودياً. تهدف هذه التقنية إلى زيادة كثافة الذاكرة المتاحة للأجهزة بدءاً من الحواسيب المحمولة وصولاً إلى الخوادم، مع التركيز على تقليل استهلاك الطاقة وزيادة سعة الذاكرة في حجم محدد.
تعتمد إنتل في هذا المشروع على تقنية تسمى "الربط المتقدم للذاكرة من الجيل التالي" (Next-Generation DRAM Bonding أو NGDB). ويمكن استخدام هذه التقنية كبديل عالي النطاق الترددي لذاكرة HBM الشهيرة، والتي تعد حالياً عنصراً أساسياً وحاسماً في خوادم الذكاء الاصطناعي الحديثة.
دور تقنية Foveros والتعاون البحثي
على الرغم من عدم الكشف عن تفاصيل دقيقة حول NGDB، إلا أن إنتل تستفيد من تقنية Foveros الخاصة بها والتي أعلنت عنها لأول مرة في 2018. تسمح تقنية Foveros بتكديس الرقائق المنطقية فوق بعضها البعض، والآن تقوم إنتل بتوسيع هذا المفهوم لتكديس الذاكرة فوق الذاكرة في هذا المشروع الجديد.
وأشار البيان الصحفي إلى أن مساهمة شركة Saimemory تبني على أعمال تأسيسية دعمها برنامج البحث والتطوير لتقنيات الذاكرة المتقدمة (AMT)، الذي تديره وزارة الطاقة الأمريكية والإدارة الوطنية للأمن النووي، من خلال مختبرات سانديا، ولورنس ليفرمور، ولوس ألاموس الوطنية.
خارطة الطريق وموعد الإطلاق
وفقاً للاتفاقية، ستقوم Saimemory بتسويق وبيع المنتج تجارياً، بينما توفر إنتل التكنولوجيا اللازمة. وقد بدأت عمليات التصنيع بالفعل في الربع الحالي، مع جدول زمني يتضمن النقاط التالية:
- إنتاج النماذج الأولية (Prototypes) بحلول عام 2027.
- بدء المبيعات التجارية الفعلية لذاكرة ZAM في عام 2030.
يُذكر أن إنتل تأسست عام 1968 كشركة ذاكرة (SRAM وDRAM) قبل أن تتحول إلى المعالجات. ومع النقص الحالي في الذاكرة والطلب الكبير من شركات الذكاء الاصطناعي، تبدو عودة إنتل لاستغلال تقنيات الذاكرة خطوة استراتيجية للمستقبل.
الأسئلة الشائعة
هي تقنية ذاكرة جديدة تعتمد على التكديس العمودي لزيادة الكثافة وتقليل استهلاك الطاقة، وتطورها إنتل بالتعاون مع Saimemory.
من المقرر أن تظهر النماذج الأولية في عام 2027، على أن يبدأ البيع التجاري في عام 2030.
تعتمد على تقنية NGDB القائمة على تكنولوجيا Foveros من إنتل، والتي تسمح بتكديس الرقائق عمودياً.
التعليقات 0
سجل دخولك لإضافة تعليق
لا توجد تعليقات بعد. كن أول من يعلق!